BUZ73 H詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:400 毫歐 @ 4.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:PG-TO220-3
- 包裝:管件
BUZ73 H3046詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:400 毫歐 @ 4.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:PG-TO220-3
- 包裝:管件
- 網(wǎng)絡、陣列 CTS Resistor Products 2012(5131 公制),凹陷 RES ARRAY 33 OHM 4 RES 2012
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 3.3UF 6.3V 10% X5R 1206
- FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 150PF 1KV 10% NP0 1206
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 1206(3216 公制) TERM BLOCK PLC 16POS NPN INPUT
- 電容器 EPCOS Inc 680UF 420V 35X70 SNAP 4-PIN
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 330UF 200V
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 1800UF 200V
- 網(wǎng)絡、陣列 CTS Resistor Products 2012(5131 公制),凹陷 RES ARRAY 330K OHM 4 RES 2012
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 150PF 50V 20% NP0 1206
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 1206(3216 公制) TERM BLOCK PLC 16POS NPN INPUT
- 電容器 EPCOS Inc 1000UF 400V 40X70 SNAP 4-PIN
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 680UF 200V
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 1800UF 200V
- 網(wǎng)絡、陣列 CTS Resistor Products 2012(5131 公制),凹陷 RES ARRAY 39 OHM 4 RES 2012
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